La memoria flash più veloce al mondo è cinese: scrive in soli 400 picosecondi
https://www.trendynet.it/wp-content/uploads/2025/04/localimages/memoria-velocita-chip_720.jpg,Un team dell’Università di Fudan ha sviluppato PoX, una memoria flash non volatile ultraveloce basata su grafene capace di scrivere in soli 400 picosecondi. La nuova soluzione potrebbe potenzialmente aprire nuovi scenari nel settore dell’IA e non solo…
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